Início Soluções Destaque diário O interessante conjunto de histórias de IP do SIC MOSFET - Bingfeeling half-bag, Romm Shuanglou, terrenos dos residentes e ge quem está deitado

O interessante conjunto de histórias de IP do SIC MOSFET - Bingfeeling half-bag, Romm Shuanglou, terrenos dos residentes e ge quem está deitado

2022-03-17 182

Notas de estudo de um amador em chips de carboneto de silício. Comparação de literatura, notícias do setor, ganhos ocasionais, estilo irrestrito. A conta oficial do WeChat pertence a notas de estudo pessoais, apenas para hobbies pessoais e não envolve nenhum propósito comercial. Por favor, perdoe-me se houver alguma citação irregular no texto. Os hobbies de algumas pessoas são cultivar flores e grama, cantar e pescar, enquanto outras gostam de escrever um blog no Twiter em Tik Tok. Nos últimos anos, gosto de ler livros ocasionalmente e escovar papel nos finais de semana para ver o desenvolvimento de materiais e tecnologias de dispositivos de ponta.

Inscrição: Faça algo interessante e seja uma alma interessante.

Falei algumas palavras sobre a fofoca do processo de IP duplo de Romm e descobri que há alguns amigos interessados. Muitas trocas e perguntas não podem ser respondidas uma por uma. Então continue conversando.

Na verdade, não há muito o que falar sobre essas patentes de estruturas de valas. Como todos sabemos, não há como. Este é o início precoce do worm, que é semelhante à apreensão do registo de nomes de domínio em anos anteriores.Estamos todos alguns anos atrasados.

Essas estruturas de trincheiras são todas estruturas básicas. Às vezes parece uma espécie de beleza especial. Se você olhar de perto, é especialmente simétrico.Imagine fazer uma permutação e combinação dessas estruturas e recombiná-las no espaço tridimensional… não é interessante!

É por isso que sempre se diz que as três estruturas, "Meio pacote Infineon, Trincheira dupla Roma, Aterramento duplo enterrado Sumitomo" são as estruturas básicas.Não é interessante? ...Infelizmente, de acordo com a lei internacional de patentes, a permutação e a combinação não funcionam!Caso contrário, Rohm pode facilmente integrar um diodo Schottky próximo à vala dupla, para que não tenhamos que ir tanto ao tribunal!

Este processo parece não ter fim. Isso também prova plenamente o quão rara é a patente IP realmente útil da estrutura de vala de carboneto de silício!Em especial, há cada vez mais dispositivos de carboneto de silício atualmente. Muitos dos IGBTs e CoolMOS de silício originais são transformados em diodos de carboneto de silício e MOSFETs planares, e os produtos são produzidos basicamente em minutos.Neste caso, o IP da estrutura de vala de carboneto de silício é precioso!

Uma vez eu quis começar um negócio. Especialmente depois de administrar uma escola na Schottky Street, acho que, como posso quase terminar todo o trabalho, desde o design do layout até a integração e o desenvolvimento do processo, posso encontrar algum dinheiro para tentar!Depois de ler um pouco sobre o histórico de desenvolvimento e o titular da patente de cada estrutura, descobrimos que há muitas semelhanças entre o desenvolvimento estrutural do SiC especial e o desenvolvimento estrutural e tecnológico da sétima geração de IGBT de silício!

Surpreendentemente, a fonte de muitas estruturas e processos IP está na GE!Certa vez pensei que não havia problema de patente no MOS planar, mas agora não tenho certeza. Não sei quando é hora de ler todas aquelas patentes da GE e de grupos japoneses!

Além disso, o Japão é uma batalha de grupo, que complementa o layout de patentes. Muito útil!Por exemplo, eu costumava pensar que, em comparação com o meio pacote Infineon e a vala dupla Rohm, adicionar alguns materiais e pó ao IP enterrado duplo aterrado da Sumitomo seria um bom avanço para IP com estrutura de vala. Ainda há muito a fazer. E no futuro, não será tão visível e fácil de ser processado quanto o meio saco e ranhura dupla do Infenion.No entanto, nos últimos dois anos, enquanto Rohm estava envolvido em uma ação judicial, descobriu-se que as empresas japonesas Denso Fuji RomToyota clamavam por patentes, bordando descontroladamente nas estruturas originais, verificando defeitos e corrigindo vazamentos. É como tentar construir mais alguns prédios altos na vala. Por exemplo, existem dezessete ou oito variantes e combinações da estrutura de aterramento duplo.

Em setembro deste ano, ouvi dizer que Sanan também queria começar a desenvolver MOSFET de trincheira de carboneto de silício, mas a patente da estrutura de trincheira não pôde ser evitada. Finalmente, simplesmente escolhi fazer um primeiro. Então recrutei um médico diretamente do Instituto de Microeletrônica de Pequim e comecei a imitar a estrutura da trincheira.

Não é tão longe. Eu só queria falar sobre a GE. Este é o verdadeiro magnata do IP de carboneto de silício. No entanto, os dispositivos de carboneto de silício são um pequeno negócio para a GE, e a GE tem pouco interesse. Até mesmo a GE, a especuladora empresa de equipamentos médicos, tem preguiça de encontrar uma razão. É difícil dizer qual é a situação da GE agora.

A GE está se separando nas últimas duas semanas. Talvez após a distribuição, a GE POWER possa iniciar lentamente um pequeno negócio, ou dispositivos de carboneto de silício.Afinal, agora temos que ir jantar holandês.

A GE deveria estar interessada em dispositivos de alta potência. Após a separação, pode ser necessário alienar e recolocar na lista. SiC é uma ferramenta valiosa! Isso pode ser visto observando-se a recente promoção entusiástica do desenvolvimento da China pela GE POWER.

Se a GE POWER realmente começar a ser independente e buscar ser listada separadamente, então os chips de potência e os dispositivos SiC Power deverão ser uma boa porta para um novo começo.

O momento é ideal para a GE POWER.Acontece que o carboneto de silício é extremamente quente e todos os jogadores são especialmente ricos.Talvez a GE POWER possa começar a colher alho-poró como a Qualcomm e se tornar um provedor de IP da POWER.

Para uma empresa centenária,A história da separação está apenas começando e o futuro será brilhante, quem sabe!

Isenção de responsabilidade: este artigo foi reproduzido de "Notas de aprendizagem do chip de carboneto de silício". Este artigo representa apenas as opiniões pessoais do autor e não representa as opiniões da Sacco Micro e da indústria. Destina-se apenas à reimpressão e partilha para apoiar a proteção dos direitos de propriedade intelectual. Por favor, indique a fonte original e o autor ao reimprimir. Se houver alguma violação, entre em contato conosco para excluí-la.

Tel. da Empresa: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 Gerente Qiu
Endereço: Sala 809, Bloco C, Edifício de Tecnologia Zhantao, No.1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen

Ajude a compartilhar a substituição de energia, solução BMS de bateria de lítio inteligente baseada em GD32E230

Seguinte

Progresso da pesquisa de materiais-chave de embalagens eletrônicas de potência e design estrutural