홈 솔루션 일일 하이라이트 SIC MOSFET의 흥미로운 IP 스토리 세트 — Bingfeeling 반가방, Romm Shuanglou, 주민 운동장, 누워있는 ge

SIC MOSFET의 흥미로운 IP 스토리 세트 — Bingfeeling 반가방, Romm Shuanglou, 주민 운동장, 누워있는 ge

2022-03-17 182

실리콘 카바이드 칩 아마추어의 연구 노트. 문헌 대조, 업계 뉴스, 가끔 얻는 이익, 자유로운 스타일. WeChat 공식 계정은 개인 공부 노트에 속하며 개인적인 취미로만 사용되며 어떠한 상업적 목적도 포함하지 않습니다. 본문에 불규칙한 인용이 있더라도 양해해 주시기 바랍니다. 어떤 사람들의 취미는 꽃과 풀 키우기, 노래 부르기, 낚시하기이고, 어떤 사람들은 Tik Tok에 트위터 블로그를 쓰는 것을 좋아합니다. 최근에는 첨단 소재와 소자 기술의 발전을 보기 위해 주말이면 가끔씩 책을 읽고 붓 종이를 읽는 것을 좋아합니다.

비문: 흥미로운 일을 하고 흥미로운 영혼이 되십시오.

Romm의 더블 그루브 IP 소송에 대한 소문에 대해 몇 마디 이야기를 나눴고 관심있는 친구들이 꽤 있다는 것을 알게되었습니다. 많은 교류와 질문에 하나씩 답변을 드릴 수 없습니다. 그런 다음 계속 채팅하세요.

사실 이러한 트렌치 구조 특허에 대해서는 별로 할 말이 없습니다. 우리 모두 알고 있듯이 방법은 없습니다. 이는 초기 도메인 이름 등록을 압수하는 것과 유사한 웜의 초기 시작입니다.우리는 모두 몇 년 늦었습니다.

이러한 트렌치 구조는 모두 기본 구조입니다. 때로는 일종의 특별한 아름다움처럼 보입니다. 자세히 보면 특히 대칭적이다.이러한 구조의 순열과 조합을 만들어 3차원 공간에서 재결합하는 것을 상상해 보세요... 흥미롭지 않나요!

그렇기 때문에 항상 "인피니언 하프 패키지, 로마 더블 트렌치, 스미토모 접지 더블 매립"의 3가지 구조가 기본 구조라고 말하는 것입니다.흥미롭지 않나요? ...안타깝게도 국제특허법에 따르면 순열과 조합은 불가능합니다!그렇지 않으면 로옴이 더블 트렌치 옆에 쇼트키 다이오드를 쉽게 통합할 수 있으므로 우리가 그렇게 힘들게 법정에 설 필요가 없습니다!

이번 소송은 끝이 없을 것 같습니다. 이것은 또한 실리콘 카바이드 트렌치 구조의 정말 유용한 특허 IP가 얼마나 희귀한지 측면에서 완전히 증명합니다!특히 실리콘 카바이드 소자의 종류가 점점 더 많아지고 있습니다. 기존 실리콘 IGBT와 CoolMOS의 상당수가 실리콘 카바이드 다이오드와 평면 MOSFET으로 전환되어, 제품 생산이 몇 분 안에 완료됩니다.이 경우 실리콘 카바이드 트렌치 구조의 IP가 중요합니다!

한때 사업을 시작하고 싶었습니다. 특히 쇼트키 거리에서 학교를 운영하고 나면 레이아웃 디자인부터 프로세스 통합, 개발까지 거의 모든 작업을 혼자서 끝낼 수 있으니 돈을 좀 벌어서 해볼 수 있을 것 같아요!각 구조의 개발 이력과 특허권을 조금 읽어보니, 특수 SiC의 구조 개발과 7세대 실리콘 IGBT의 구조 및 기술 개발이 많은 유사점이 있다는 것을 알 수 있었습니다!

놀랍게도 많은 구조와 프로세스 IP의 출처가 실제로 GE에 있습니다!한때 planar MOS에는 특허 문제가 없다고 생각했는데 지금은 잘 모르겠습니다. GE와 일본그룹의 특허를 다 읽어야할 때가 언제인지 모르겠습니다!

게다가 일본은 특허 배치를 보완하는 집단전이다. 굉장히 유용하다!예를 들어 인피니언 하프 패키지와 롬 더블 트렌치에 비해 실제로 스미토모의 접지 이중 매립 IP에 일부 소재와 파우더를 추가하는 것이 트렌치 구조의 IP에 좋은 돌파구가 될 것이라고 생각하곤 했습니다. 아직 할 일이 많습니다. 그리고 앞으로도 인페니온 하프백과 더블그루브처럼 눈에 띄고 고소당하기 쉽지 않을 겁니다.그러나 최근 2년 간 롬이 소송을 진행하는 동안 일본 덴소후지 롬토요타 업체들이 특허를 요구하며 원래 구조에 난폭하게 수를 놓고 결함을 확인하고 유출을 따라잡는 것으로 드러났다. 그것은 도랑에 더 높은 건물을 몇 개 더 짓으려고 하는 것과 같습니다. 예를 들어, 접지 이중 매립 구조에는 17개 또는 8개의 변형과 조합이 있습니다.

올해 9월, Sanan도 실리콘 카바이드 트렌치 MOSFET 개발을 시작하고 싶어 한다는 소식을 들었습니다. 하지만 트렌치 구조 특허를 피할 수 없었습니다. 결국 저는 그냥 하나를 먼저 만들기로 했습니다. 그래서 베이징 마이크로전자공학연구소에서 직접 박사를 영입해 트렌치 구조를 모방하기 시작했다.

너무 멀지 않아요. 저는 단지 GE에 대해 이야기하고 싶었을 뿐입니다. 이것이 진정한 실리콘 카바이드 IP의 거물입니다. 하지만 탄화규소 장치는 GE에게 작은 사업이고 GE는 별로 관심이 없다. 폭리를 취하는 의료기기인 GE조차 이유를 밝히기에는 너무 게으르다. 현재 GE의 상황이 어떤지 말하기는 어렵다.

GE는 지난 2주 동안 분할되었습니다. 아마도 유통 후에는 GE POWER가 소규모 사업을 천천히 시작하거나 실리콘 카바이드 장치를 시작할 수도 있습니다.결국, 이제 우리는 저녁을 먹으러 네덜란드로 가야 합니다.

GE는 고전력 장치에 관심을 가져야 합니다. 분할 후에는 매각 및 재상장이 필요할 수 있습니다. SiC는 귀중한 도구입니다! 이는 최근 GE파워가 중국 발전을 열성적으로 추진하는 모습을 보면 알 수 있다.

GE POWER가 실제로 독립을 시작하고 별도의 상장을 모색한다면 파워 칩과 SiC Power 장치는 새로운 시작을 위한 좋은 포트가 될 것입니다.

GE POWER에게는 타이밍이 딱 맞습니다.공교롭게도 탄화 규소는 매우 뜨겁고 모든 플레이어는 특히 풍부합니다.어쩌면 GE POWER가 Qualcomm처럼 부추 수확을 시작하고 POWER의 IP 제공자가 될 수도 있습니다.

100년 된 기업의 경우,이별의 이야기는 이제 막 시작되었고, 미래는 찬란할 것이다. 누가 알겠는가!

면책 조항: 이 기사는 "실리콘 카바이드 칩 학습 노트"에서 복제되었습니다. 이 기사는 저자의 개인적인 견해일 뿐 Sacco Micro와 업계의 견해를 대변하지 않습니다. 지적 재산권 보호를 지원하기 위해 재인쇄 및 공유에만 사용됩니다. 재인쇄 시 원본 출처와 작성자를 명시해 주시기 바랍니다. 침해가 있는 경우 당사에 연락하여 삭제하시기 바랍니다.

회사전화: 86-0755
팩스/팩스:+86-0755-83975897
이메일: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 Qiu 관리자
주소: 심천시 룽화 신구 민즈 애비뉴 809호 Zhantao Technology Building C 블록 1079호

이전 보기

전원교체 공유도움말, GD32E230 기반 스마트리튬배터리 BMS 솔루션

전력전자 패키징 핵심소재 및 구조설계 연구 진행