Ana Sayfa Çözümler Günlük Öne Çıkanlar SIC MOSFET'in ilginç IP hikaye seti - Bingfeeling yarım çanta, Romm Shuanglou, sakinlerin alanları ve yatan ge

SIC MOSFET'in ilginç IP hikaye seti - Bingfeeling yarım çanta, Romm Shuanglou, sakinlerin alanları ve yatan ge

2022-03-17 182

Bir amatör silisyum karbür yongasının çalışma notları. Literatür derlemesi, sektör haberleri, ara sıra elde edilen kazanımlar, kısıtlanmamış tarz. WeChat resmi hesabı kişisel çalışma notlarına aittir, yalnızca kişisel hobilere yöneliktir ve herhangi bir ticari amaç içermez. Metinde düzensiz alıntılar varsa lütfen bağışlayın. Bazı insanların hobileri çiçek ve ot yetiştirmek, şarkı söylemek ve balık tutmaktır, bazıları ise Tik Tok'ta Twitter blogu yazmayı sever. Son yıllarda, en son malzeme ve cihaz teknolojilerinin gelişimini görmek için ara sıra kitap okumayı ve hafta sonları kağıt fırçalamayı seviyorum.

Yazıt: İlginç bir şey yapın ve ilginç bir ruh olun.

Romm'un çift kanallı fikri mülkiyet davasıyla ilgili dedikodular hakkında birkaç kelime konuştum ve ilgilenen pek çok arkadaşımın olduğunu gördüm. Pek çok fikir alışverişi ve soru tek tek yanıtlanamaz. Daha sonra sohbete devam edin.

Aslında bu hendek yapı patentleri hakkında konuşulacak pek bir şey yok. Hepimizin bildiği gibi bunun hiçbir yolu yok. Bu, daha önceki yıllarda alan adı kayıtlarının ele geçirilmesine benzer şekilde solucanın erken başlangıcıdır.Hepimiz birkaç yıl geciktik.

Bu hendek yapılarının hepsi temel yapılardır. Bazen özel bir güzelliğe benziyor. Yakından bakarsanız özellikle simetriktir.Bu yapıların permütasyonunu ve birleşimini yaptığınızı ve bunları üç boyutlu uzayda yeniden birleştirdiğinizi hayal edin… ilginç değil mi?

Bu nedenle her zaman üç yapının, "Infineon yarım paket, Roma çift hendek, Sumitomo topraklama çift gömülü" temel yapılar olduğu söylenir.İlginç değil mi? ...Ne yazık ki uluslararası patent kanununa göre permütasyon ve kombinasyon işe yaramıyor!Aksi halde Rohm, Schottky diyotunu çift hendeğin yanına kolayca entegre edebilir, böylece mahkemeye bu kadar zorlanmamıza gerek kalmaz!

Bu dava bitmeyecek gibi görünüyor. Bu aynı zamanda silisyum karbür hendek yapısının gerçekten faydalı patent IP'sinin ne kadar nadir olduğunu da tamamen kanıtlıyor!Özellikle günümüzde silisyum karbür cihazlar giderek yaygınlaşıyor. Orijinal silisyum IGBT ve CoolMOS'ların çoğu, silisyum karbür diyotlara ve düzlemsel MOSFET'lere dönüştürülüyor ve ürünler temelde dakikalar içinde üretiliyor.Bu durumda silisyum karbür hendek yapısının IP'si değerlidir!

Bir zamanlar bir iş kurmak istiyordum. Özellikle Schottky Caddesi'nde bir okul işlettikten sonra, yerleşim tasarımından süreç entegrasyonuna ve geliştirmeye kadar neredeyse tüm işleri tek başıma bitirebileceğim için denemek için biraz para bulabileceğimi düşünüyorum!Her yapının gelişim tarihçesini ve patent sahibini biraz okuduğumuzda, özel SiC'nin yapı gelişimi ile yedinci nesil silikon IGBT'nin yapı ve teknoloji gelişimi arasında birçok benzerlik olduğunu gördük!

Şaşırtıcı bir şekilde birçok yapı ve süreç fikri mülkiyetinin kaynağı aslında GE'de!Bir zamanlar düzlemsel MOS'ta patent sorunu olmadığını düşünüyordum ama artık emin değilim. GE ve Japon grupların tüm bu patentlerini okumanın zamanı geldiğinde bilmiyorum!

Üstelik Japonya, patent düzenini tamamlayan bir grup savaşıdır. Çok kullanışlı!Örneğin, Infineon yarım paket ve Rohm çift hendek ile karşılaştırıldığında, aslında Sumitomo'nun topraklanmış çift gömülü IP'sine bazı malzemeler ve toz eklemenin hendek yapılı IP için iyi bir atılım olacağını düşünürdüm. Hala yapılacak çok şey var. Ve gelecekte Infenion yarım çanta ve çift oluklu çanta kadar dikkat çekici ve dava edilmek kolay olmayacak.Ancak son iki yılda Rohm bir davayla uğraşırken, Japon Denso Fuji RomToyota şirketlerinin patent almak için kükrediği, orijinal yapılara çılgınca nakışlar işlediği, kusurları kontrol ettiği ve sızıntıları yakaladığı ortaya çıktı. Hendeğe birkaç yüksek bina daha inşa etmeye çalışmak gibi. Örneğin, topraklı çift gömme yapının on yedi veya sekiz çeşidi ve kombinasyonu vardır.

Bu yılın eylül ayında Sanan'ın da silisyum karbür hendek MOSFET'i geliştirmeye başlamak istediğini ancak hendek yapısının patentinden kaçınılamayacağını duydum. Sonunda, ilk önce bir tane yapmayı seçtim. Bu yüzden doğrudan Pekin Mikroelektronik Enstitüsü'nden bir doktor tuttum ve hendek yapısını taklit etmeye başladım.

Çok uzak değil. Sadece GE hakkında konuşmak istedim. Bu gerçek silisyum karbür IP patronudur. Ancak silisyum karbür cihazları GE için küçük bir iş ve GE'nin pek ilgisi yok. Vurguncu tıbbi ekipman olan GE bile bir sebep kabul edemeyecek kadar tembel. GE'nin şu an ne durumda olduğunu söylemek zor.

GE son iki hafta içinde dağılıyor. Belki dağıtımdan sonra GE POWER yavaş yavaş küçük bir işletmeye veya silisyum karbür cihazlara başlayabilir.Sonuçta artık akşam yemeği için Hollanda'ya gitmemiz gerekiyor.

GE'nin yüksek güçlü cihazlarla ilgilenmesi gerekiyor. Ayrılma sonrasında elden çıkarılıp yeniden listeye alınması gerekebilir. SiC değerli bir araçtır! GE POWER'ın son zamanlarda Çin'in kalkınmasına yönelik coşkulu tanıtımına baktığınızda bunu görebilirsiniz.

GE POWER gerçekten bağımsız olmaya başlarsa ve ayrı olarak listelenmeye başlarsa, o zaman güç çipleri ve SiC Power cihazları yeni bir başlangıç için iyi bir bağlantı noktası olmalıdır.

GE POWER için zamanlama tam olarak doğru.Aslında silisyum karbür son derece sıcaktır ve tüm oyuncular özellikle zengindir.Belki GE POWER da Qualcomm gibi pırasa toplamaya başlayabilir ve POWER'ın IP sağlayıcısı olabilir.

Asırlık bir girişim için,Ayrılığın hikayesi yeni başladı ve gelecek çok parlak olacak, kim bilir!

Yasal Uyarı: Bu makale "Silisyum Karbür Çip Öğrenme Notları"ndan kopyalanmıştır. Bu makale yalnızca yazarın kişisel görüşlerini temsil eder ve Sacco Micro ve sektörün görüşlerini temsil etmez. Fikri mülkiyet haklarının korunmasını desteklemek amacıyla yalnızca yeniden basılması ve paylaşılması içindir. Lütfen yeniden basarken orijinal kaynağı ve yazarını belirtin. Herhangi bir ihlal varsa, silmek için lütfen bizimle iletişime geçin.

Şirket Tel: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-posta: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 Yönetici Qiu
Adres: Oda 809, Blok C, Zhantao Teknoloji Binası, No.1079 Minzhi Bulvarı, Longhua Yeni Bölgesi, Shenzhen

Güç değişiminin paylaşılmasına yardımcı olun, GD32E230'u temel alan akıllı lityum pil BMS çözümü

Güç elektroniği paketleme ana malzemeleri ve yapısal tasarımına ilişkin araştırma ilerlemesi