หน้าแรก โซลูชัน ไฮไลท์รายวัน ชุดเรื่องราว IP ที่น่าสนใจของ SIC MOSFET - Bingfeeling half -bag, Romm Shuanglou, พื้นที่ของผู้อยู่อาศัย และ ge ผู้นอนราบ

ชุดเรื่องราว IP ที่น่าสนใจของ SIC MOSFET - Bingfeeling half -bag, Romm Shuanglou, พื้นที่ของผู้อยู่อาศัย และ ge ผู้นอนราบ

2022-03-17 182

บันทึกการศึกษาของมือสมัครเล่นชิปซิลิคอนคาร์ไบด์ การจัดเรียงวรรณกรรม ข่าวอุตสาหกรรม เกร็ดความรู้เป็นครั้งคราว สไตล์ที่ไร้ขีดจำกัด บัญชีอย่างเป็นทางการของ WeChat เป็นของบันทึกการเรียนรู้ส่วนตัว สำหรับงานอดิเรกส่วนตัวเท่านั้น และไม่เกี่ยวข้องกับวัตถุประสงค์ทางการค้าใดๆ โปรดยกโทษให้ฉันหากมีคำพูดที่ผิดปกติในข้อความ งานอดิเรกของบางคนคือการปลูกดอกไม้และหญ้า ร้องเพลง และตกปลา ในขณะที่บางคนชอบเขียนบล็อกบน Twiter ใน Tik Tok ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ฉันชอบอ่านหนังสือและกระดาษพู่กันเป็นครั้งคราวในช่วงสุดสัปดาห์เพื่อดูการพัฒนาของวัสดุและเทคโนโลยีอุปกรณ์ที่ล้ำสมัย

จารึก: ทำสิ่งที่น่าสนใจและเป็นจิตวิญญาณที่น่าสนใจ

ฉันได้พูดคุยสองสามคำเกี่ยวกับการนินทาคดีทรัพย์สินทางปัญญาสองร่องของ Romm และพบว่ามีเพื่อนที่สนใจค่อนข้างน้อย การแลกเปลี่ยนและคำถามมากมายไม่สามารถตอบทีละคนได้ แล้วค่อยคุยกันต่อ

จริงๆ แล้ว ไม่มีอะไรจะพูดถึงสิทธิบัตรโครงสร้างร่องลึกเหล่านี้มากนัก อย่างที่เราทราบกันดีว่าไม่มีทาง นี่เป็นการเริ่มต้นของเวิร์ม ซึ่งคล้ายกับการยึดการจดทะเบียนชื่อโดเมนในปีก่อนหน้าเราทุกคนมาช้าไปไม่กี่ปี

โครงสร้างร่องลึกเหล่านี้เป็นโครงสร้างพื้นฐานทั้งหมด บางครั้งก็ดูเหมือนมีความสวยงามเป็นพิเศษ หากมองใกล้ ๆ จะมีความสมมาตรเป็นพิเศษลองนึกภาพการเรียงสับเปลี่ยนและการรวมกันของโครงสร้างเหล่านี้แล้วรวมเข้าด้วยกันใหม่ในพื้นที่สามมิติ … มันไม่น่าสนใจเหรอ!

นั่นเป็นเหตุผลว่าทำไมจึงพูดอยู่เสมอว่าโครงสร้างทั้งสาม "Infineon ครึ่งแพ็คเกจ, Roma double trench, Sumitomo grounding double ฝัง" เป็นโครงสร้างพื้นฐานมันไม่น่าสนใจเหรอ? ...น่าเสียดายที่ตามกฎหมายสิทธิบัตรระหว่างประเทศ การเรียงสับเปลี่ยนและการรวมกันไม่ได้ผล!มิฉะนั้น Rohm จะสามารถรวมไดโอด Schottky เข้ากับร่องคู่ได้อย่างง่ายดาย ดังนั้นเราจึงไม่ต้องขึ้นศาลอย่างหนัก!

คดีนี้ดูเหมือนจะไม่มีที่สิ้นสุด สิ่งนี้ยังพิสูจน์ได้อย่างเต็มที่จากด้านข้างว่า IP สิทธิบัตรที่มีประโยชน์จริงๆ ของโครงสร้างร่องลึกซิลิคอนคาร์ไบด์นั้นหายากเพียงใด!โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ปัจจุบันมีอุปกรณ์ซิลิคอนคาร์ไบด์เพิ่มมากขึ้นเรื่อยๆ ซิลิคอน IGBT และ CoolMOS ดั้งเดิมจำนวนมากถูกนำไปแปรรูปเป็นไดโอดซิลิคอนคาร์ไบด์และ MOSFET แบบระนาบ และสามารถผลิตได้ภายในไม่กี่นาทีในกรณีนี้ IP ของโครงสร้างร่องลึกซิลิคอนคาร์ไบด์มีค่ามาก!

ครั้งหนึ่งฉันเคยอยากจะเริ่มต้นธุรกิจ โดยเฉพาะอย่างยิ่งหลังจากเปิดโรงเรียนใน Schottky Street ฉันคิดว่าเนื่องจากฉันสามารถทำงานเกือบทั้งหมดตั้งแต่การออกแบบเลย์เอาต์ไปจนถึงกระบวนการบูรณาการและการพัฒนาด้วยตัวเองได้ ฉันจึงสามารถหาเงินมาลองทำได้!หลังจากอ่านประวัติการพัฒนาและผู้จดสิทธิบัตรของโครงสร้างแต่ละอันสักเล็กน้อย เราพบว่ามีข้อเหมือนกันมากมายระหว่างการพัฒนาโครงสร้างของ SiC พิเศษกับโครงสร้างและการพัฒนาเทคโนโลยีของ IGBT ซิลิคอนรุ่นที่ 7!

น่าแปลกที่แหล่งที่มาของโครงสร้างและกระบวนการ IP มากมายจริงๆ แล้วอยู่ที่ GE!ฉันเคยคิดว่าไม่มีปัญหาสิทธิบัตรใน planar MOS แต่ตอนนี้ฉันไม่แน่ใจ ฉันไม่รู้ว่าเมื่อไรจะถึงเวลาอ่านสิทธิบัตรทั้งหมดของ GE และกลุ่มบริษัทญี่ปุ่น!

นอกจากนี้ ญี่ปุ่นยังเป็นการต่อสู้แบบกลุ่มซึ่งเสริมรูปแบบสิทธิบัตรอีกด้วย มีประโยชน์มาก!ตัวอย่างเช่น ฉันเคยคิดว่าเมื่อเทียบกับ Infineon half-package และ Rohm double-trench จริง ๆ แล้วการเพิ่มวัสดุและผงบางอย่างให้กับ IP แบบฝังสองชั้นที่มีการต่อกราวด์ของ Sumitomo จะเป็นความก้าวหน้าที่ดีสำหรับ IP ที่มีโครงสร้างร่องลึก ยังมีอะไรให้ทำอีกมาก และในอนาคตจะไม่โดนฟ้องง่ายเหมือน Infenion half bag และ double Groove อีกต่อไปอย่างไรก็ตาม ในช่วงสองปีที่ผ่านมา ขณะที่ Rohm มีส่วนร่วมในการฟ้องร้อง พบว่าบริษัท Denso Fuji RomToyota ของญี่ปุ่นส่งเสียงคำรามขอสิทธิบัตร ปักผ้าอย่างดุเดือดบนโครงสร้างดั้งเดิม ตรวจสอบข้อบกพร่อง และติดตามรอยรั่ว มันเหมือนกับการพยายามสร้างอาคารสูงเพิ่มอีกสองสามหลังในคูน้ำ ตัวอย่างเช่น มีสิบเจ็ดหรือแปดรูปแบบและการรวมกันของโครงสร้างการฝังสองชั้นแบบกราวด์

ในเดือนกันยายนของปีนี้ ฉันได้ยินมาว่า Sanan ต้องการเริ่มพัฒนา MOSFET ร่องลึกแบบซิลิคอนคาร์ไบด์ด้วย แต่ก็ไม่สามารถหลีกเลี่ยงสิทธิบัตรของโครงสร้างร่องลึกได้ ในที่สุดฉันก็เลือกที่จะทำอย่างใดอย่างหนึ่งก่อน ดังนั้นฉันจึงคัดเลือกแพทย์โดยตรงจาก Beijing Institute of Microelectronics และเริ่มเลียนแบบโครงสร้างร่องลึกก้นสมุทร

มันไม่ไกลเกินไป ฉันแค่อยากจะพูดคุยเกี่ยวกับ GE นี่คือเจ้าสัว IP ซิลิคอนคาร์ไบด์ตัวจริง อย่างไรก็ตาม อุปกรณ์ซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นธุรกิจขนาดเล็กสำหรับ GE และ GE ก็มีความสนใจเพียงเล็กน้อย แม้แต่ GE ซึ่งเป็นอุปกรณ์ทางการแพทย์ที่แสวงหาผลประโยชน์ก็ยังขี้เกียจเกินกว่าจะมีเหตุผล ยากที่จะบอกได้ว่าสถานการณ์ของ GE ในตอนนี้เป็นอย่างไร

GE กำลังแยกทางกันในช่วงสองสัปดาห์ที่ผ่านมา บางทีหลังจากการจำหน่าย GE POWER ก็สามารถเริ่มต้นธุรกิจขนาดเล็กได้ช้าหรืออุปกรณ์ซิลิคอนคาร์ไบด์ตอนนี้เราต้องไปทานอาหารเย็นกับชาวดัตช์

GE ควรสนใจอุปกรณ์กำลังสูง หลังจากแยกทางกันอาจจำเป็นต้องขายออกและจดทะเบียนใหม่ SiC เป็นเครื่องมืออันทรงคุณค่า! สามารถดูได้จากการส่งเสริมการพัฒนาของจีนอย่างกระตือรือร้นของ GE POWER เมื่อเร็วๆ นี้

หาก GE POWER เริ่มแยกจากกันจริงๆ และต้องการแยกรายการ ชิปจ่ายไฟและอุปกรณ์ SiC Power ก็ควรเป็นพอร์ตที่ดีสำหรับการเริ่มต้นใหม่

ช่วงเวลานั้นเหมาะสมสำหรับ GE POWERเมื่อมันเกิดขึ้น ซิลิคอนคาร์ไบด์จะร้อนจัด และผู้เล่นทุกคนก็รวยเป็นพิเศษบางที GE POWER สามารถเริ่มเก็บเกี่ยวกระเทียมหอมเช่น Qualcomm และกลายเป็นผู้ให้บริการ IP ของ POWER

สำหรับกิจการที่มีอายุนับศตวรรษเรื่องราวการแยกจากกันเพิ่งเริ่มต้นขึ้น และอนาคตจะสดใสใครจะรู้!

ข้อจำกัดความรับผิดชอบ: บทความนี้ทำซ้ำจาก "บันทึกการเรียนรู้ชิปซิลิคอนคาร์ไบด์" บทความนี้นำเสนอเฉพาะความคิดเห็นส่วนตัวของผู้เขียน และไม่ได้นำเสนอมุมมองของ Sacco Micro และอุตสาหกรรม มีไว้สำหรับการพิมพ์ซ้ำและแบ่งปันเพื่อสนับสนุนการคุ้มครองสิทธิในทรัพย์สินทางปัญญาเท่านั้น โปรดระบุแหล่งที่มาต้นฉบับและผู้แต่งเมื่อพิมพ์ซ้ำ หากมีการละเมิดใด ๆ โปรดติดต่อเราเพื่อลบออก

โทรศัพท์บริษัท: +86-0755-83044319
แฟกซ์/แฟกซ์:+86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว
ที่อยู่: ห้อง 809 บล็อก C อาคารเทคโนโลยี Zhantao เลขที่ 1079 Minzhi Avenue เขตหลงหัวใหม่ เซินเจิ้น

ช่วยแบ่งปันพลังงานทดแทน โซลูชัน BMS แบตเตอรี่ลิเธียมอัจฉริยะที่ใช้ GD32E230

ความคืบหน้าการวิจัยวัสดุสำคัญบรรจุภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังและการออกแบบโครงสร้าง