صفحه اصلی مزایا برجسته روزانه مجموعه داستان جالب IP SIC MOSFET - Bingfeeling half-bag، روم شوانگلو، محوطه ساکنان، و افرادی که دراز کشیده اند

مجموعه داستان جالب IP SIC MOSFET - Bingfeeling half-bag، روم شوانگلو، محوطه ساکنان، و افرادی که دراز کشیده اند

2022-03-17 182

یادداشت های مطالعه یک آماتور از تراشه های کاربید سیلیکون. گردآوری ادبیات، اخبار صنعت، دستاوردهای گاه به گاه، سبک نامحدود. حساب رسمی WeChat متعلق به یادداشت های مطالعه شخصی است، فقط برای سرگرمی های شخصی، و شامل هیچ هدف تجاری نمی شود. اگر نقل قول های نامنظمی در متن وجود دارد مرا ببخشید. سرگرمیهای برخی افراد پرورش گل و علف، آواز خواندن و ماهیگیری است، در حالی که برخی دیگر دوست دارند وبلاگ توییتر را در تیک توک بنویسند. در سالهای اخیر، من دوست دارم گاهی اوقات در تعطیلات آخر هفته کتاب بخوانم و کاغذ برس بزنم تا شاهد پیشرفت مواد پیشرفته و فناوریهای دستگاه باشم.

کتیبه: کاری جالب انجام دهید و روح جالبی باشید.

من چند کلمه در مورد شایعات شکایت IP دو شیار Romm صحبت کردم و متوجه شدم که دوستان علاقه مند زیادی وجود دارد. بسیاری از تبادلات و سوالات را نمی توان یک به یک پاسخ داد. سپس به چت کردن ادامه دهید.

در واقع، صحبت زیادی در مورد این اختراعات ساختار سنگر وجود ندارد. همانطور که همه ما می دانیم، هیچ راهی وجود ندارد. این شروع اولیه کرم است که شبیه به تصرف ثبت نام دامنه در سال های قبل است.همه ما چند سال تاخیر داریم

این سازه های ترانشه ای همگی سازه های اساسی هستند. گاهی به نوعی زیبایی خاصی به نظر می رسد. اگر دقت کنید، به خصوص متقارن است.تصور کنید یک جایگشت و ترکیبی از این ساختارها بسازید و دوباره آنها را در فضای سه بعدی ترکیب کنید... جالب نیست!

به همین دلیل است که همیشه گفته می شود که سه سازه "نیم پکیج Infineon، ترانشه دوتایی روما، سومیتومو ارت دوتایی دفن شده" سازه های اصلی هستند.جالب نیست؟ ...متاسفانه طبق قانون بین المللی ثبت اختراع، جایگشت و ترکیب کار نمی کند!در غیر این صورت روهم به راحتی می تواند یک دیود شاتکی را در کنار سنگر دوبل ادغام کند، بنابراین مجبور نیستیم اینقدر به دادگاه برویم!

به نظر می رسد این دعوا پایانی ندارد. این همچنین از طرفی کاملاً ثابت می کند که IP حق ثبت اختراع واقعاً مفید ساختار ترانشه کاربید سیلیکون چقدر نادر است!به خصوص، اکنون دستگاههای کاربید سیلیکونی بیشتر و بیشتری وجود دارد. بسیاری از IGBTها و CoolMOSهای سیلیکونی اولیه به دیودهای کاربید سیلیکونی و MOSFETهای مسطح تبدیل میشوند و محصولات اساساً در عرض چند دقیقه تولید میشوند.در این مورد، IP ساختار ترانشه کاربید سیلیکون با ارزش است!

من یک بار می خواستم یک کسب و کار راه اندازی کنم. به خصوص پس از راه اندازی مدرسه ای در خیابان شاتکی، فکر می کنم از آنجایی که تقریباً می توانم تمام کارها از طراحی چیدمان گرفته تا یکپارچه سازی و توسعه فرآیند را به تنهایی به پایان برسانم، می توانم مقداری پول برای امتحان پیدا کنم!پس از کمی مطالعه تاریخچه توسعه و ثبت اختراع هر ساختار، متوجه شدیم که شباهتهای زیادی بین توسعه ساختار SiC ویژه و ساختار و توسعه فناوری نسل هفتم IGBT سیلیکونی وجود دارد!

با کمال تعجب، منبع بسیاری از IP های ساختار و فرآیند در واقع در جنرال الکتریک است!من یک بار فکر می کردم که مشکل ثبت اختراع در Planar MOS وجود ندارد، اما اکنون مطمئن نیستم. نمی دونم وقت خوندن این همه پتنت جنرال الکتریک و گروه های ژاپنی کیه!

علاوه بر این، ژاپن یک نبرد گروهی است که مکمل طرح اختراع است. بسیار مفید!به عنوان مثال، من قبلاً فکر می کردم که در مقایسه با Infineon half-package و Rohm double-trench، در واقع افزودن مقداری مواد و پودر به IP دوبار مدفون زمینی Sumitomo پیشرفت خوبی برای IP با ساختار ترانشه خواهد بود. هنوز کارهای زیادی برای انجام دادن وجود دارد. و در آینده به اندازه کیف و شیار دوتایی Infenion مشهود و آسان نخواهد بود.با این حال، در دو سال گذشته، در حالی که Rohm درگیر یک دعوی قضایی بود، مشخص شد که شرکتهای ژاپنی Denso Fuji RomToyota برای ثبت اختراع غوغا میکردند، ساختارهای اصلی را به شدت گلدوزی میکردند، نقصها را بررسی میکردند و نشتها را برطرف میکردند. مثل این است که بخواهیم چند ساختمان بلند دیگر در خندق بسازیم. به عنوان مثال، هفده یا هشت نوع و ترکیبی از ساختار دو دفن زمینی وجود دارد.

در سپتامبر امسال، شنیدم که سانان هم میخواهد توسعهی ماسفت شیاردار سیلیکون کاربیدی را آغاز کند، اما ثبت اختراع ساختار شیاردار اجتنابناپذیر بود. در نهایت، من تصمیم گرفتم اول یکی از آنها را بسازم. بنابراین من یک دکتر را مستقیماً از موسسه میکروالکترونیک پکن استخدام کردم و شروع به تقلید از ساختار سنگر کردم.

خیلی دور نیست. من فقط می خواستم در مورد جنرال الکتریک صحبت کنم. این غول پیکر واقعی IP کاربید سیلیکون است. با این حال، دستگاه های کاربید سیلیکون یک تجارت کوچک برای جنرال الکتریک است و جنرال الکتریک علاقه چندانی ندارد. حتی جنرال الکتریک، تجهیزات پزشکی سودجو، آنقدر تنبل است که دلیل بیاورد. به سختی می توان گفت که وضعیت جنرال الکتریک در حال حاضر چگونه است.

جنرال الکتریک در دو هفته گذشته در حال جدا شدن است. شاید پس از توزیع، GE POWER بتواند به آرامی یک تجارت کوچک یا دستگاه های کاربید سیلیکون را راه اندازی کند.بالاخره حالا باید برای شام برویم هلندی.

جنرال الکتریک باید به دستگاه های پرقدرت علاقه مند باشد. پس از جدایی، ممکن است نیاز به واگذاری و فهرست بندی مجدد باشد. SiC یک ابزار ارزشمند است! این را می توان با نگاهی به ترویج مشتاقانه توسعه چین اخیرا توسط GE POWER مشاهده کرد.

اگر GE POWER واقعاً مستقل است و به دنبال فهرست جداگانهای است، تراشههای قدرت و دستگاههای SiC Power باید پورت خوبی برای شروعی تازه باشند.

زمان بندی برای GE POWER مناسب است.همانطور که اتفاق می افتد، کاربید سیلیکون بسیار داغ است و همه بازیکنان به ویژه غنی هستند.شاید GE POWER بتواند شروع به برداشت تره فرنگی مانند Qualcomm کند و به یک ارائه دهنده IP POWER تبدیل شود.

برای یک شرکت صد ساله،داستان جدایی تازه شروع شده است و آینده درخشان خواهد بود، چه کسی می داند!

سلب مسئولیت: این مقاله از «یادداشت های آموزشی تراشه کاربید سیلیکون» بازتولید شده است. این مقاله فقط دیدگاه های شخصی نویسنده را نشان می دهد و دیدگاه های Sacco Micro و صنعت را نشان نمی دهد. این فقط برای تجدید چاپ و به اشتراک گذاری برای حمایت از حمایت از حقوق مالکیت معنوی است. لطفاً هنگام چاپ مجدد منبع و نویسنده اصلی را ذکر کنید. در صورت وجود هرگونه تخلف، لطفا با ما تماس بگیرید تا آن را حذف کنیم.

تلفن شرکت: +86-0755-83044319
فکس/فکس: +86-0755-83975897
ایمیل: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 مدیر کیو
آدرس: اتاق 809، بلوک C، ساختمان فناوری Zhantao، خیابان Minzhi شماره 1079، منطقه جدید Longhua، شنژن

قبلی

راه حل BMS باتری لیتیوم هوشمند مبتنی بر GD32E230، جایگزینی برق را به اشتراک بگذارید

بعدی

پیشرفت تحقیق مواد کلیدی بسته بندی الکترونیکی قدرت و طراحی ساختاری