Inicio Soluciones Destacado diario Interesante conjunto de historias de propiedad intelectual de SIC MOSFET: Bingfeeling half-bag, Romm Shuanglou, los terrenos de los residentes y ge who acostado

Interesante conjunto de historias de propiedad intelectual de SIC MOSFET: Bingfeeling half-bag, Romm Shuanglou, los terrenos de los residentes y ge who acostado

2022-03-17 182

Notas de estudio de un aficionado a los chips de carburo de silicio. Cotejo de literatura, noticias de la industria, ganancias ocasionales, estilo sin restricciones. La cuenta oficial de WeChat pertenece a notas de estudio personales, solo para pasatiempos personales y no implica ningún propósito comercial. Perdóneme si hay citas irregulares en el texto. Los pasatiempos de algunas personas son cultivar flores y pasto, cantar y pescar, mientras que a otras les gusta escribir blogs de Twitter en Tik Tok. En los últimos años, me gusta leer libros de vez en cuando y pincelar papel los fines de semana para ver el desarrollo de materiales y tecnologías de dispositivos de vanguardia.

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Hablé algunas palabras sobre los chismes de la demanda de propiedad intelectual de doble ranura de Romm y descubrí que hay bastantes amigos interesados. Muchos intercambios y preguntas no se pueden responder una por una. Entonces sigue charlando.

En realidad, no hay mucho que hablar sobre estas patentes de estructuras de trinchera. Como todos sabemos, no hay manera. Este es el inicio temprano del gusano, que es similar a la incautación del registro de nombres de dominio en años anteriores.Todos llegamos con algunos años de retraso.

Estas estructuras de trincheras son todas estructuras básicas. A veces parece una especie de belleza especial. Si miras de cerca, es especialmente simétrico.Imagínese hacer una permutación y combinación de estas estructuras y recombinarlas en un espacio tridimensional… ¿no es interesante?

Por eso siempre se dice que las tres estructuras, "medio paquete Infineon, doble trinchera Roma, doble enterramiento de Sumitomo" son las estructuras básicas.¿No es interesante? ...Desafortunadamente, según la ley internacional de patentes, ¡la permutación y combinación no funcionan!De lo contrario, Rohm puede integrar fácilmente un diodo Schottky junto a la doble trinchera, ¡así no tendremos que acudir a los tribunales con tanta dureza!

Esta demanda parece no tener fin. ¡Esto también demuestra plenamente desde el exterior lo rara que es la propiedad intelectual de patente realmente útil de la estructura de zanja de carburo de silicio!En particular, cada vez hay más dispositivos de carburo de silicio. Muchos de los IGBT y CoolMOS de silicio originales se han convertido en diodos de carburo de silicio y MOSFET planar, y estos productos se fabrican prácticamente en minutos.En este caso, ¡el IP de la estructura de zanja de carburo de silicio es precioso!

Una vez quise iniciar un negocio. Especialmente después de dirigir una escuela en Schottky Street, creo que como casi puedo terminar todo el trabajo, desde el diseño hasta la integración y el desarrollo de procesos, puedo encontrar algo de dinero para intentarlo.Después de leer un poco el historial de desarrollo y el titular de la patente de cada estructura, descubrimos que existen muchas similitudes entre el desarrollo de la estructura de SiC especial y el desarrollo de la estructura y la tecnología de la séptima generación de IGBT de silicio.

Sorprendentemente, ¡la fuente de muchas estructuras y procesos de propiedad intelectual está en realidad en GE!Una vez pensé que no había ningún problema de patentes en MOS plano, pero ahora no estoy seguro. ¡No sé cuándo será el momento de leer todas esas patentes de GE y de los grupos japoneses!

Además, Japón es una batalla grupal, que complementa el diseño de patentes. ¡Muy útil!Por ejemplo, solía pensar que, en comparación con el medio paquete Infineon y el doble trinchera Rohm, agregar algunos materiales y polvo al IP doble enterrado con conexión a tierra de Sumitomo sería un buen avance para el IP con estructura de trinchera. Todavía hay mucho por hacer. Y en el futuro, no será tan llamativo y fácil ser demandado como la media bolsa y doble ranura de Infenion.Sin embargo, en los últimos dos años, mientras Rohm estaba inmerso en una demanda, se descubrió que las empresas japonesas Denso Fuji RomToyota estaban pidiendo patentes, bordando salvajemente en las estructuras originales, comprobando defectos y detectando fugas. Es como intentar construir algunos edificios más altos en la zanja. Por ejemplo, existen diecisiete u ocho variantes y combinaciones de la estructura de doble enterramiento con puesta a tierra.

En septiembre de este año, escuché que Sanan también quería comenzar a desarrollar MOSFET de trinchera de carburo de silicio, pero no se pudo evitar la patente de la estructura de trinchera. Finalmente, simplemente elegí hacer uno primero. Entonces recluté a un médico directamente del Instituto de Microelectrónica de Beijing y comencé a imitar la estructura de la trinchera.

No está muy lejos. Sólo quería hablar sobre GE. Este es el verdadero magnate de IP del carburo de silicio. Sin embargo, los dispositivos de carburo de silicio son un pequeño negocio para GE y GE tiene poco interés. Incluso GE, el equipo médico que se beneficia, es demasiado vago para encontrar una razón. Es difícil decir cuál es la situación de GE ahora.

GE se está separando en las últimas dos semanas. Quizás después de la distribución, GE POWER pueda iniciar lentamente una pequeña empresa o dispositivos de carburo de silicio.Después de todo, ahora tenemos que cenar en holandés.

GE debería estar interesada en dispositivos de alta potencia. Después de la separación, puede ser necesario desinvertir y volver a cotizar. ¡SiC es una herramienta valiosa! Puede comprobarse si se observa la reciente y entusiasta promoción del desarrollo de China por parte de GE POWER.

Si GE POWER realmente comienza a ser independiente y busca aparecer en la lista por separado, entonces los chips de potencia y los dispositivos de SiC Power deberían ser un buen puerto para un nuevo comienzo.

El momento es perfecto para GE POWER.Da la casualidad de que el carburo de silicio está extremadamente caliente y todos los jugadores son especialmente ricos.Quizás GE POWER pueda comenzar a cosechar puerros como Qualcomm y convertirse en un proveedor de propiedad intelectual de POWER.

Para una empresa centenaria,La historia de la separación apenas comienza y el futuro será brillante, ¡quién sabe!

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