Trang chủ Giải pháp Điểm nổi bật hàng ngày Bộ câu chuyện IP thú vị của SIC MOSFET - Bingfeeling nửa túi, Romm Shuanglou, khu dân cư và ge nằm xuống

Bộ câu chuyện IP thú vị của SIC MOSFET - Bingfeeling nửa túi, Romm Shuanglou, khu dân cư và ge nằm xuống

2022-03-17 182

Ghi chú nghiên cứu của một người nghiệp dư về chip cacbua silic. Đối chiếu tài liệu, tin tức trong ngành, lợi ích không thường xuyên, phong cách không giới hạn. Tài khoản chính thức của WeChat thuộc về ghi chú học tập cá nhân, chỉ dành cho sở thích cá nhân và không liên quan đến bất kỳ mục đích thương mại nào. Xin hãy tha thứ cho tôi nếu có bất kỳ trích dẫn bất thường nào trong văn bản. Sở thích của một số người là trồng hoa cỏ, ca hát và câu cá, trong khi những người khác lại thích viết blog Twiter trên Tik Tok. Trong những năm gần đây, thỉnh thoảng tôi thích đọc sách và giấy bút vào cuối tuần để xem sự phát triển của các vật liệu và công nghệ thiết bị tiên tiến.

Dòng chữ: Hãy làm điều gì đó thú vị và trở thành một tâm hồn thú vị.

Tôi nói vài lời về vụ kiện IP rãnh kép của Romm và thấy có khá nhiều bạn bè quan tâm. Nhiều trao đổi và câu hỏi không thể được trả lời từng cái một. Sau đó tiếp tục trò chuyện.

Trên thực tế, không có nhiều điều để nói về những bằng sáng chế về cấu trúc rãnh này. Như chúng ta đều biết, không có cách nào. Đây là sự khởi đầu sớm của sâu, tương tự như việc chiếm quyền đăng ký tên miền trong những năm trước.Tất cả chúng ta đều trễ vài năm.

Những cấu trúc rãnh này đều là những cấu trúc cơ bản. Đôi khi nó trông giống như một vẻ đẹp đặc biệt. Nếu bạn nhìn kỹ, nó đặc biệt đối xứng.Hãy tưởng tượng thực hiện một hoán vị, kết hợp các cấu trúc này rồi kết hợp lại chúng trong không gian ba chiều…thật thú vị phải không!

Đó là lý do tại sao người ta luôn nói rằng ba công trình “Nửa gói Infineon, rãnh đôi Roma, chôn đôi nối đất Sumitomo” là những công trình cơ bản.Nó không thú vị sao? ...Thật không may, theo luật sáng chế quốc tế, hoán vị và kết hợp không có tác dụng!Nếu không thì Rohm có thể dễ dàng tích hợp một diode Schottky bên cạnh rãnh đôi nên chúng ta không cần phải ra tòa vất vả như vậy!

Vụ kiện này dường như là vô tận. Điều này cũng chứng minh đầy đủ từ bên cạnh rằng IP bằng sáng chế thực sự hữu ích về cấu trúc rãnh silicon cacbua hiếm đến mức nào!Đặc biệt, hiện nay ngày càng có nhiều thiết bị silicon carbide. Nhiều IGBT silicon và CoolMOS ban đầu được chuyển đổi thành diode silicon carbide và MOSFET phẳng, và các sản phẩm này về cơ bản được sản xuất chỉ trong vài phút.Trong trường hợp này, IP của cấu trúc rãnh silicon cacbua rất quý giá!

Tôi đã từng muốn khởi nghiệp. Đặc biệt là sau khi điều hành một trường học ở phố Schottky, tôi nghĩ rằng vì tôi gần như có thể tự mình hoàn thành mọi công việc từ thiết kế bố cục đến tích hợp và phát triển quy trình nên tôi có thể kiếm được một số tiền để thử!Sau khi đọc một chút về lịch sử phát triển và bằng sáng chế của từng cấu trúc, chúng tôi thấy rằng có nhiều điểm tương đồng giữa sự phát triển cấu trúc của SiC đặc biệt và sự phát triển cấu trúc và công nghệ của IGBT silicon thế hệ thứ bảy!

Điều đáng ngạc nhiên là nguồn gốc của nhiều IP cấu trúc và quy trình thực chất lại nằm ở GE!Tôi đã từng nghĩ rằng không có vấn đề gì về bằng sáng chế đối với MOS phẳng, nhưng giờ tôi không chắc nữa. Không biết khi nào mới đọc hết những bằng sáng chế của GE và các tập đoàn Nhật Bản!

Hơn nữa, Nhật Bản là một cuộc chiến tập thể, bổ sung cho cách bố trí bằng sáng chế. Rất hữu ích!Ví dụ, tôi từng nghĩ rằng so với nửa gói Infineon và rãnh đôi Rohm, việc thực sự thêm một số vật liệu và bột vào IP chôn đôi nối đất của Sumitomo sẽ là một bước đột phá tốt cho IP có cấu trúc rãnh. Vẫn còn rất nhiều việc phải làm. Và trong tương lai sẽ không còn dễ bị kiện tụng như Infenion nửa túi và rãnh đôi nữa.Tuy nhiên, trong hai năm gần đây, trong khi Rohm đang vướng vào một vụ kiện, người ta phát hiện ra rằng các công ty Denso Fuji RomToyota của Nhật Bản đang rầm rộ đòi bằng sáng chế, thêu dệt bừa bãi trên các cấu trúc ban đầu, kiểm tra khuyết điểm và khắc phục rò rỉ. Nó giống như cố gắng xây thêm vài tòa nhà cao tầng trong con mương. Ví dụ, có mười bảy hoặc tám biến thể và sự kết hợp của cấu trúc chôn đôi nối đất.

Vào tháng 9 năm nay, tôi nghe nói Sanan cũng muốn bắt đầu phát triển MOSFET rãnh silicon cacbua, nhưng không thể tránh được bằng sáng chế về cấu trúc rãnh. Cuối cùng, tôi chỉ đơn giản chọn làm một cái trước. Vì vậy, tôi đã trực tiếp tuyển một bác sĩ từ Viện Vi điện tử Bắc Kinh và bắt đầu mô phỏng cấu trúc rãnh.

Nó không quá xa. Tôi chỉ muốn nói về GE. Đây là ông trùm IP cacbua silicon thực sự. Tuy nhiên, các thiết bị cacbua silic là một hoạt động kinh doanh nhỏ của GE và GE ít quan tâm đến nó. Ngay cả GE, hãng thiết bị y tế trục lợi cũng lười đưa ra lý do. Khó có thể nói được tình hình của GE hiện nay ra sao.

GE sẽ tan rã trong hai tuần qua. Có thể sau khi phân phối, GE POWER có thể bắt đầu kinh doanh nhỏ một cách chậm rãi hoặc thiết bị silicon cacbua.Cuối cùng, bây giờ chúng ta phải đi ăn tối ở Hà Lan.

GE nên quan tâm đến các thiết bị công suất cao. Sau khi tách, có thể phải thoái vốn và niêm yết lại. SiC là một công cụ có giá trị! Có thể thấy điều đó khi nhìn vào sự thúc đẩy nhiệt tình của GE POWER đối với sự phát triển của Trung Quốc trong thời gian gần đây.

Nếu GE POWER thực sự bắt đầu độc lập và tìm cách được liệt kê riêng, thì chip nguồn và thiết bị SiC Power sẽ là một bước khởi đầu tốt cho một khởi đầu mới.

Thời điểm này rất phù hợp với GE POWER.Khi điều đó xảy ra, cacbua silic cực kỳ nóng và tất cả người chơi đều đặc biệt giàu có.Có lẽ GE POWER có thể bắt đầu thu hoạch tỏi tây như Qualcomm và trở thành nhà cung cấp IP của POWER.

Đối với một doanh nghiệp có tuổi đời hàng thế kỷ,Câu chuyện chia ly vừa mới bắt đầu, tương lai sẽ tươi sáng, ai biết được!

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Bài viết này được sao chép từ "Ghi chú học tập về chip silicon cacbua". Bài viết này chỉ thể hiện quan điểm cá nhân của tác giả, không thể hiện quan điểm của Sacco Micro và ngành. Nó chỉ dành cho việc in lại và chia sẻ để hỗ trợ việc bảo vệ quyền sở hữu trí tuệ. Vui lòng ghi rõ nguồn và tác giả khi tái bản. Nếu có vi phạm vui lòng liên hệ với chúng tôi để xóa.

Điện thoại công ty: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
Email: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 Quản lý Qiu
Địa chỉ: Phòng 809, Khu C, Tòa nhà Công nghệ Zhantao, Số 1079 Đại lộ Minzhi, Quận Mới Long Hoa, Thâm Quyến

Giúp chia sẻ nguồn điện thay thế, giải pháp BMS pin lithium thông minh dựa trên GD32E230

Trang Tiếp

Tiến độ nghiên cứu vật liệu chính và thiết kế kết cấu của bao bì điện tử điện